广州TDK电容日本原厂

贴片电容的检测方法，A检测10pf以下的小电容因10pf以下的贴片电容太小，用万用表进行测量，只能定性的检查是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R*10K档，用两表笔分别任意接电容的两个淫叫哦，阻值应为无穷大。若测出阻值（指针向右摆动）为零。则说明电容漏电损坏或内部击穿。B检测10pf-0.01uf贴片电容是否有充电现象进而判断其好坏。TDK电容陶瓷电容：陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成TDK电容

三类为半导体类Y5V电介质这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。特点：温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升，电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。TDK电容3、多层陶瓷电容器，多层陶瓷电容器是片式元件中应用最广泛的一类，它是将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合TDK电容

可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测贴片电容引脚接触AB两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。，并共烧成一个整体，又称片式独石电容器，具有小尺寸、高比容、高精度的特点，可贴装于印制电路板（PCB）、混合集成电路（HIC）基片，有效地缩小电子信息终端产品（尤其是便携式产品）的体积和重量，提高产品可靠性。

TDK电容3、相对而言高压陶瓷电容器的电压更高薄膜电容器的电容相对来讲，工作电压是不如陶瓷电容的高，这是共识；4、从容量分析，高压陶瓷电容的容量较小，薄膜电容的容量较大TDK电容储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150000uF之间的铝电解电容器(如EPCOS公司的B43504或B43505)是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。。陶瓷电容相比薄膜电容的优势，1、高压陶瓷电容器的尺寸更小。以同样电压等级的一个产品为例。如果要做一颗容量为1NF，工作电压为10KVAC的高压电容器，如果用高压陶瓷电容器来生产。