广州TDK电容命名规则

陶瓷电容按频率特性分有：高频瓷介电容器（1类瓷）；低频瓷介电容器（2类瓷）；交流瓷介电容器，按耐压区分有高压瓷介电容器（1KVDC以上）和低压瓷介电容器（500VDC以下）。一：高频瓷介电容器（亦称1类瓷介电容器）该类瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小，并且高频损耗值很小，（tanδ≤0.15%，f=1MHz），最高使用频率可达1000MHz以上。同时该类瓷介电容器温度特性优良，适用于高频谐振、滤波和温度补偿等对容量和稳定度要求较高的电路。TDK电容陶瓷电容的容量通常是不能太大，而钽电解电容能达到，但也退偶的比较多。陶瓷电容是一款相对实惠的电容器，尤其扁圆插件的陶瓷电容最便宜，且许多常规家用电器能用到TDK电容

广泛用于电子电路中，用量十分可观。如何辨别陶瓷电容与钽电解电容呢？其实很容易辨别，两款原料不同：众所周知钽电解电容用钽做载体，陶瓷电容用瓷片作介质，陶瓷电容的电容量和钽电解电容相比小些，钽电解电容能减到小容量的，但陶瓷电容增加到大容量性能就发挥稍差了。相对比钽电解电容性能稍好于陶瓷电容。。近年来随着技术不断升级，陶瓷电容的容量也越做越大，还产生除了4UF的陶瓷电容，陶瓷电容也正在渐渐走上主流，代替了钽电解电容。但实际上超过1uF的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过，电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中,大电容(1000uF)滤低频，小电容(20pF)滤高频。

TDK电容目前市面上做柔性高可靠性陶瓷电容的厂家很多，但原理都大同小异。陶瓷电容按照材质可分为三种特性Y5V、Y5U和Y5P，不同的特性其对应的工作温度也不同将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10uF或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。。陶瓷电容用Y5U及Y5P特性的，变化率为+22%-65%。用Y5V特性的，变化率为+30%-80%。-25℃~+85℃是瓷片电容的工作温度，意思就是瓷片电容可以在两种极端的温度下工作。不受影响。

TDK电容陶瓷电容主要材料是瓷片，瓷片是陶瓷粉末加压冲片后经过高温烧结而成，随时间推移，外观是不会变化的，所以储存期是长久型的。但由于瓷介电容器所采用的大多数是2类陶瓷介质，都具有铁电特性并呈现出一个居里温度特性TDK电容可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测贴片电容引脚接触AB两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。。因此，陶瓷电容有老化衰减现象。往往在这个小小的问题上纠结，电容量是由测量交流容量时所呈现的阻抗决定，通常交流电容量随频率，电压以及测量方法的变化而变化，只不过不同规格的陶瓷电容器变化程度不一样而已，除非要求电容量特别准确，温度特性特别稳定。